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國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件專業(yè)研發(fā)制造商

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中低壓MOS≤200V

產(chǎn)品型號(hào)PDIDV(BR) DSSRDS(on) (MAX)VGS(Th)封裝
TYPE極性(W)(A)(V)ΩID(A)VGS(V)VID(μA)Package
N+N 45 30 100 0.035 10 4.5 1.0~2.5 250 PDFN5x6A
N+N 35.7 13.7 100 0.09 20 10 1.0~2.5 250 PDFN5x6A
N+N 35.7 13.7 100 0.145 5 4.5 1~2.5 250 PDFN5x6A
N+P 12.5 24 30 0.01 10 10 1.0~2.5 250 PDFN5x6A
N+P 12.5 -24 -30 0.012 -10 -10 -1.0~-2.5 -250 PDFN5x6A
N+P 25 39.5 30 0.015 5 4.5 1.0~2.5 250 PDFN5x6A
N+P 25 -39 -30 0.02 -5 -4.5 -1.0~-2.5 -250 PDFN5x6A
P+P 25 -46 -30 0.015 -10 -4.5 -1~-2.5 -250 PDFN5x6A
P+P 25 -20 -40 0.035 -20 -10 -1.0~-2.5 -250 PDFN5x6A
N 3.1 15 40 0.008 20 10 1.0~2.5 250 SOP-8
N 3.1 10 60 0.015 10 10 1.0~2.5 250 SOP-8
N 3.1 8 100 0.023 8 10 1.1~2.5 250 SOP-8
N 3.1 11.5 100 0.012 11.5 10 1.0~2.5 250 SOP-8
N 5 23 30 0.0055 20 10 1.2~2.5 250 SOP-8
N 1.7 10 40 0.001 10 10 1.7~3.0 250 SOP-8
N 2 4.5 60 0.05 4.5 10 1.0~3.0 250 SOP-8
N+N 3.5 20 30 0.005 20 10 1.0~2.5 250 SOP-8
N+N 3.2 16.5 30 0.007 20 10 1.0~2.5 250 SOP-8
N+N 3.2 16 30 0.008 20 10 1.0~2.5 250 SOP-8
N+N 2 8 40 0.022 4 10 1.0~2.5 250 SOP-8
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