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國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件專業(yè)研發(fā)制造商

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中低壓MOS≤200V

產(chǎn)品型號(hào)PDIDV(BR) DSSRDS(on) (MAX)VGS(Th)封裝
TYPE極性(W)(A)(V)ΩID(A)VGS(V)VID(μA)Package
N 150 100 30 0.0038 50 10 1.0~3.0 250 TO-263
N 188 100 60 0.007 50 10 2.0~4.0 250 TO-263
N 100 65 100 0.015 10 4.5 1~2.5 250 TO-263
N 150 46 100 0.015 20 10 1.0~2.5 250 TO-263
N 75 50 60 0.015 25 10 1.0~3.0 250 TO-263
N 160 59 100 0.018 35 10 2.0~4.0 250 TO-263
P 100 -98 -30 0.015 -10 -4.5 -1~-2.5 -250 TO-263
N 320 110 55 0.08 62 10 2.0~4.0 250 TO-3P
N 35 76 30 0.0065 10 4.5 1~3 250 PDFN3x3A-8L
P 1.3 -5.5 -20 0.08 -2 -1.8 -0.4~-1.0 -250 SOT-23
N+N 70 9 200 0.45 4.5 10 2~4 250 DFN8x8-4L
P 50 -30 -60 0.05 -10 -4.5 -1.0~-2.5 -250 TO-252
N 150 297 40 0.0032 20 6 2~4 250 TOLL-8L
N 312.5 292 100 0.0019 50 10 2~4 250 TOLL-8L
N 208 280 80 0.002 30 10 2~4 250 TOLL-8L
N 300 260 120 0.0028 30 6 2~4 250 TOLL-8L
N 286 280 100 0.0023 20 10 2~4 250 TOLL-8L
N 60 67 60 0.012 10 6 2~4 250 PDFN5x6
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