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國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件專業(yè)研發(fā)制造商

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中低壓MOS≤200V

產(chǎn)品型號(hào)PDIDV(BR) DSSRDS(on) (MAX)VGS(Th)封裝
TYPE極性(W)(A)(V)ΩID(A)VGS(V)VID(μA)Package
N 85 50 60 0.022 25 10 2.0~4.0 250 TO-252
N 40 4.8 200 0.65 2.9 10 2.0~4.0 250 TO-252
N 46 9 200 0.4 4.5 10 2.0~4.0 250 TO-252
N 186 18 200 0.18 10.8 10 2.0~4.0 250 TO-252
N 62.5 62.8 30 0.008 20 10 1.0~2.0 250 TO-252
P 65 -72 -30 0.007 -20 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 62.5 -50 -40 0.014 -20 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 52 -40 -40 0.015 -20 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 32 -14 -60 0.13 -5 -4.5 -1~-2.5 -250 TO-252
P 62.5 -40 -30 0.022 -20 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 50 -20 -40 0.035 -18 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 20 -20 -60 0.092 -20 -10 -1.0~-2.5 250 TO-252
P 53.5 -30 -100 0.05 -30 -10 -1.0~-3.0 250 TO-252
P 45 -27.5 -40 0.035 -20 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 44 -40 -30 0.016 -30 -10 -1.0~-2.5 250 TO-252
P 85 -28 -100 0.05 -15 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 75 -22 -100 0.07 -10 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 65 -18 -100 0.09 -10 -10 -1.0~-2.5 -250 TO-252
P 83 -90 -30 0.006 -20 -10 -1.2~-2.2 250 TO-252
P 85 -50 -60 0.035 -20 -10 -1.0~-3.0 -250 TO-252
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